М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)»




НазваниеМ. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)»
Дата конвертации18.07.2013
Размер445 b.
ТипПрезентации


Национальный Исследовательский Технологический Университет «МИСиС» Научный совет РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения »

  • М.Я. Дашевский

  • «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)»

  • 2010г.




  • В материаловедении кремния объектами изучения и исследования

  • являются:

  • -монокристаллы (в том числе наномонокристаллы) кремния;

  • -поликристаллы (в том числе нанокристаллы) кремния;

  • -пористый кремний;

  • -аморфный кремния;

  • -расплавы кремния.

  • В рамках материаловедения кремния разрабатываются физико-

  • химические основы технологий получения кремния и приборных структур на его основе с заданными физическими свойствами.

  • Материаловедение кремния является составной частью общего

  • материаловедения полупроводников.



Фактор электронных различий (валентный фактор) для твердых кристаллических растворов замещения на основе кремния.

  • Фактор электронных различий (валентный фактор) для твердых кристаллических растворов замещения на основе кремния.

  • ФЕР=N1вал. эл. –N2вал. эл.

  • ФЕР(Si)=4-N2вал.эл.

  • Сmax~Ко~1\ФЕR.

  • ФER=0

  • для системы: Si-Ge, Si-Ti.



Изовалентное легирование

  • Изовалентное легирование

  • Тройные фазовые диаграммы

  • Si-Ge-O

  • Si-Ge-P

  • Si-Ge-B

  • Si-Ge-Ga

  • Термодонорный эффект

  • Co=2,2*10^22 exp(-Q\T)

  • 1) 450С:(Si-O)

  • 2)450С(Si-Ge-O)

  • VCTD1>VCTD2 (при С0 <5*10^17см^-3



Собственные точечные дефекты в бездислокационных монокристаллах кремния Критерий В.В. Воронкова В условиях когда N*CTD> NCTD образуются кластеры CTD (микродефекты)



Выращивание по методу Чохральского бездислокационных монокристаллов кремния большой массы и большого диаметра

  • Выращивание по методу Чохральского бездислокационных монокристаллов кремния большой массы и большого диаметра

  • Процесс с подпиткой

  • К эф=const

  • Cж=const

  • Ст=const



Список литературы 1. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский «Материаловедение полупроводников и диэлектриков», М., изд-во «МИСиС»; 2003г. 2. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашов «Дефекты в кремнии и на его поверхности», М., Наука, 1990г. 3. В.И. Фистуль, «Атомы легирующих примесей в полупроводниках» М., Физматлит, 2004г. 4. Сб. «Нанотехнологии в полупроводниковой электронике» (отв. ред. А.Л. Асеев\: Новосибирск: изд-во СО РАН, 2004г. 5. Н.Н, Герасименко, Ю.Н. Пархоменко, « Кремний- материал наноэлектроники», М., «Техносфера», 2006г. 6. М.И. Горлов, В.А. Емельянов, А.В. Строганов «Геронтология кремниевых интегральных схем» М.: «Наука», 2004г. 7. В.И. Таланин «Моделирование и свойства дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния»,-Запорожье: ТУ «ЗИРМУ», 2007г.



8. Н.В. Немчинова «Поведение примесных элементов при производстве и

  • 8. Н.В. Немчинова «Поведение примесных элементов при производстве и

  • рафинировании кремния» М.: ид «Академия естествознания», 2008г.

  • 9.И.Ф. Червоный, В.З. Куцова, В.И. Пожуев, Е.Я. Швец, О.А. Носко, С.Г. Егоров, Р.М. Воляр «Полупроводниковый кремний: теория и технология производства», Запорожье, 2009 г.



Наномонокристалл – это монокристалл, который характеризуется тем, что хотя бы один из его размеров равен или меньше удвоенной толщины поверхностного слоя.

  • Наномонокристалл – это монокристалл, который характеризуется тем, что хотя бы один из его размеров равен или меньше удвоенной толщины поверхностного слоя.



Правило фаз в условиях гетерогенного равновесия нанофаз

  • Правило фаз в условиях гетерогенного равновесия нанофаз

  • Р,Т,R

  • К-строк-

  • С=Ф(К-1)+3-К(Ф-1)=К-Ф+3

  • Тпл.~(R)









Похожие:

М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconСовременное состояние Современное состояние
Тенденции, наблюдаемые на рынках недвижимости всего мира в конце 2008 -начале 2009 г г
М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconСовременное состояние Современное состояние
Рынок недвижимости в любой стране подвержен циклическим колебаниям тем не менее, на данном примере развития рынка Великобритании...
М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconСовременное состояние тектоники плит Современное состояние тектоники плит
Геодинамика современной Земли и её отличия от геодинамики Земли на ранних этапах развития
М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconОвощеводство – как научная дисциплина, его современное состояние, перспективы развития Предмет овощеводства, его особенности
Овощеводство как научная дисциплина, его современное состояние, перспективы развития
М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconВ. Б. Стешенко «Современное состояние и перспективы развития специализированной экб для навигационных и космических применений»

М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconРезультаты областного социологического опроса на тему: «Состояние и тенденции развития наркоситуации в Акмолинской области»

М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconРоссия – Германия: статистика травматизма
Состояние и тенденции развития нормативной правовой базы в области «охраны труда»
М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconСравнение статистики производственного травматизма в России и в Германии
Состояние и тенденции развития нормативной правовой базы в области «охраны труда»
М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconМатериаловедение Материаловедение
К изучаемым свойствам относятся структура веществ, электронные, термические, химические, магнитные, оптические свойства этих веществ....
М. Я. Дашевский «Материаловедение кремния (современное состояние и тенденции развития)» iconСтруктура и задачи ускорительного комплекса fair a. Сидорин, оияи
История развития тяжелоионного комплекса в gsi и современное состояние проекта fair
Разместите кнопку на своём сайте:
dok.opredelim.com


База данных защищена авторским правом ©dok.opredelim.com 2015
обратиться к администрации
dok.opredelim.com
Главная страница